针对NAND Flash制造工艺不断提高,导致其内部数据在存储时出错概率越来越大的问题,提出一种优化的BCH编解码器设计。在编码电路采用16位并行操作,解码电路采用3级流水线操作,以提高数据的处理速度。完成电路的仿真验证,仿真结果表明使用优化后的BCH编解码器,可以正确校正多达48位出错位,并完成基于SMIC 0.11μm工艺库的设计综合,综合结果表明该设计在工作频率、面积和功耗方面得到很大改善。
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