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摘要
源于其有独特的物理性质和广阔的应用前景，近些年二维磁性半金属材料逐渐成为研究的热潮。基于第一性原理的理论计算，本文预测了一种新型二维磁性材料——单层InMnTe3。计算结果表明二维InMnTe3是一种半金属磁性材料，其自旋向上的电子表现为金属性，而自旋向下的表现为半导体特性，因而可以实现100%的自旋极化。磁矩主要分布在Mn原子上且存在较强的铁磁耦合作用和极大的面外磁各向异性能。鉴于以上优点，二维InMnTe3将在高密度信息存储领域和自旋电子器件等方面拥有潜在的应用价值。
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单位电子工程学院
