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摘要
本发明属电容器制备技术领域,尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO-3单晶基晶界层电容器材料,包括第一半导体化SrTiO-3单晶片,第二半导体化SrTiO-3单晶片,设置于所述第一半导体化SrTiO-3单晶片和第二半导体化SrTiO-3单晶片之间的金属氧化物绝缘层,所述第一半导体化SrTiO-3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层,所述第二半导体化SrTiO-3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层。本发明提供的电容器材料具有高温度稳定性和高可靠性的特点。
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