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摘要
本发明公开了一种基于掺铌钛酸锶阻变薄膜的形变应力传感器的制作方法,主要解决现有形变应力传感器功耗大且不能弯曲的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术,在镧锶锰氧做牺牲层的钛酸锶衬底上生长掺铌钛酸锶薄膜；2.在掺铌钛酸锶薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,用碘化钾溶液除去镧锶锰氧薄膜；3.将掺铌钛酸锶薄膜转移到后续所需的柔性导电衬底上,在丙酮中浸泡除去聚甲基丙烯酸甲酯；4.在掺铌钛酸锶薄膜表面加电极,完成形变应力传感器的制作。本发明采用掺铌钛酸锶阻变薄膜作为传感材料,耗能小,且提高了应力传感器的灵敏度,实现了传感器的弯曲,满足柔性电子设备的要求,可用于半导体器件的制备。
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