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摘要
利用磁控溅射法在单晶Si基底上制备了Cu薄膜，通过分析薄膜退火前后的X射线衍射图谱、取向分布函数图、微观组织和背散射电子衍射数据，揭示了薄膜在退火过程中的织构演变行为.结果表明：采用低溅射气压制备的Cu薄膜具有较强的{111}纤维织构，沉积态Cu薄膜内部存在大量的小角度晶界和Σ3晶界，经过200℃退火后，小角度晶界减少，而Σ3晶界增加，出现了退火孪晶，释放了薄膜内部的弹性应变能，阻碍了{001}纤维织构的形成，使得沉积态和退火态下的Cu薄膜织构特征没有明显变化，均以{111}纤维织构为主.
- 单位
