低亚阈值摆幅铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管研究（英文）

作者：吴迪; 徐永珍; 姜毅; 刘会刚^*

来源：南开大学学报(自然科学版), 2021, 54(02): 52-57.

• 铁电
• 铝掺杂二氧化铪
• 亚阈值摆幅
• 金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管

首次制备了完全CMOS工艺兼容的铝掺杂二氧化铪铁电材料金属-铁电层-绝缘层-半导体场效晶体管,并对其电学特性,如I-V,C-V等进行测量与分析,最终实现亚阈值摆幅为27 mV/decade的金氧半场效晶体管.栅极漏电流机制亦被探讨,并推断出Poole-Frenkel效应是产生铝掺杂二氧化铪铁电材料晶体管漏电流的主要原因.

• 单位
  南开大学; 清华大学