VHF—PECVD系统能量馈入模式对薄膜均匀性的影响

作者：胡德志; 吴金随; 官爱强; 彭涛

来源：华北科技学院学报, 2016, 13(06): 73-77.

• 电磁场与电磁波
• 材料成型及控制
• 薄膜技术
• 准平面电路模型

为了解决甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备薄膜的非均匀性问题,采用准平面电路模型计算,给出了平板电极间电势的非均匀分布规律。在计算模型中,射频源采用面馈入的模式取代了点馈入的模式,使计算结果更贴近实际。研究表明,在60 MHz甚高频作用下,如果方形平板电极的边长超过1.3 m,电势分布非均匀度将超过10%。此外,研究还发现:如果射频源功率馈入端圆形接触面的半径从1 mm增加到22 mm,电势分布非均匀度相对降低了45%,将大大的提高薄膜的均匀性。同时,计算结果还表明:在条件允许的情况下,如果继续增加功率馈入端的半径,平板电极间的电势分布的非均匀性还能进一步降低。

• 单位
  华北科技学院; 机电工程学院