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摘要
本发明公开了一种铟掺杂N型有机薄膜晶体管及其制备方法,所述N型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。其制备方法首先在玻璃衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极,再在金电极上制备一层铟作为掺杂层,然后利用溶胶凝胶法,在已制备电极完毕的样品表面形成N型有机半导体有源层,并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层,最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝形成栅电极。该方法所制备的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管,其开关比和载流子迁移率得到了明显的提升,器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的N型有机薄膜晶体管的电学性能,具有成本低廉、工艺步骤简单且广泛适用于N型有机薄膜晶体管的特点。
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