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摘要
本发明涉及一种基于掺杂Al-(1-x)Sc-xN的铁电调控场效应晶体管及其制备方法,铁电调控场效应晶体管包括：自下而上依次设置的衬底层、种子层、第一铁电层、第一介质层、沟道层、第二介质层、第二铁电层和栅电极；源电极与漏电极,源电极与漏电极分别设置于沟道层两侧以及部分沟道层的上表面；第二介质层覆盖在沟道层上表面、部分源电极和部分漏电极的上表面；第一铁电层为Sc掺杂浓度为35％～40％的Al-(1-x)Sc-xN；第二铁电层为HZO。本发明提供的铁电调控场效应晶体管作为存储器件的存储性能好,内存窗口大,在存在外部干扰的情况下数据的可靠性以及稳定性更胜一筹,同时其制备方法能与现有CMOS工艺兼容,降低了生产成本。
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