表面活性剂对铝合金表面电化学沉积硅烷膜层的影响

作者：徐以兵; 何德良; 周舟; 钟建芳

来源：表面技术, 2008, (03): 1-3+57.

DOI：10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2008.03.010

• 表面活性剂
• 铝合金
• 最佳沉积电位
• 硅烷膜
• 电化学沉积 Surfactant
• Aluminum
• Critical cathodic potential
• Silane film
• Electrochemical deposition

采用交流阻抗技术研究了表面活性剂对不同条件下双-1,2-[3(三乙氧基)硅丙基]四硫化物硅烷在铝合金表面阴极电化学辅助沉积成膜的影响。研究表明:在硅烷溶液中加入表面活性剂进行改性,可降低硅烷在铝合金表面电化学沉积的阴极沉积电位,抑制硅烷沉积过程中的析H2作用,改善电极界面区域硅烷成膜环境。试验证明:硅烷溶液中表面活性剂的最佳改性浓度为0.03%,在此浓度下,铝合金表面硅烷阴极电沉积的最佳沉积电位为-1.6 V。

• 单位
  湖南大学; 化学生物传感与计量学国家重点实验室