具有漏端Offset的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性及开态电流模型

作者：赵金凤; 杜孟君; 张冬利; 王槐生; 单奇; 王明湘

来源：电子器件, 2020, 43(05): 953-958.

• 漏端Offset
• 薄膜晶体管
• 非晶铟镓锌氧化物
• 电阻
• 开态电流模型

本文研究了具有不同漏端Offset长度(LDO)的非晶铟镓锌氧化物(Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide,a-IGZO)薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFT)的电学特性,发现器件的阈值电压(Vth)、亚阈值摆幅(SS)、关态电流(Ioff)与LDO无明显依赖关系。通过分析漏端Offset区域的电流与电压关系,发现其遵循欧姆定律,由此提取出漏端Offset区域电阻(RDO)。研究发现RDO与LDO成幂函数关系且幂次随栅源电压(VGS)的增加而增加,由此我们提出RDO的经验模型,同时利用此模型得到漏端Offset a-IGZO TFT的开态电流模型并通过与电流-电压曲线拟合得以验证。

• 单位
  苏州大学