摘要
为探究高场超导磁体的设计和制造技术,基于实验室12 T低温超导磁体,设计了一个8 T高温超导内插线圈,希望能够组合实现20 T磁场条件,主要介绍该无绝缘高温超导内插线圈的设计方法和研制进展。采用遗传优化算法获得了内插线圈的电磁设计方案,并采用均质化T-A法分析了屏蔽电流感应场(SCIF)对于高温超导内插线圈磁场分布的影响,结果表明,采用电流扫描反转法能够有效地减小屏蔽电流感应场。通过采用桥接的焊接方法以及对焊接温度的控制,获得了90 nΩ~130 nΩ之间的内接头,初步验证了无绝缘高温超导内插线圈制作的可行性。
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单位华中科技大学; 电子工程学院