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摘要
纳米SiO2填料与环氧树脂基体界面效应差，限制了复合材料电气性能提升。为此采用CF4/N2等离子体协同偶联剂改性纳米SiO2填料，改变其在基体中界面特性，制备了不同质量分数的纳米SiO2/环氧树脂复合材料。对复合材料的化学组分、表面形貌、闪络电压和击穿场强等进行测试。测试表明：氟元素以CF2为主要形式存在改性SiO2表面；纳米SiO2平均粒径降低27.9%，团聚现象得到有效抑制。SiO2质量分数3%的复合材料闪络电压比纯环氧树脂增高了10.58%；击穿场强达到33.7 k V/mm，体积电阻率达到2.5×1015?·cm，分别比未改性试样提高11.6%和34.61%。等离子体氟化可有效在颗粒表面接枝氟元素，阻碍材料内部载流子迁移，改善复合材料电气性能。
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