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摘要
为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能，本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO)，并制备成薄膜晶体管(TFT)器件，研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响，并对WZO薄膜进行表征。实验结果表明，W的溅射功率会影响薄膜的结晶质量。随着W溅射功率的增加，薄膜结晶质量逐渐变好。达到某个值后继续增加W的溅射功率，薄膜结晶质量并没有很大的改善。本文中研究的WZO薄膜均在(002)晶面择优生长，且当W的溅射功率为2 W时，WZO薄膜晶体管综合性能最好，开关比达到5.24×105，阈值电压为16.89 V，在400～1 400 nm波段平均透过率达到90%。
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