一种低开启电压氧化镓功率二极管及其制备方法

作者：何云龙; 马晓华; 陆小力; 郑雪峰; 洪悦华; 张方; 杨一彤; 郝跃

来源：2021-09-13, 中国, CN202111070355.4.

本发明涉及一种低开启电压氧化镓功率二极管及其制备方法,该二极管包括：自下而上依次层叠设置的阴极、衬底层、漂移层和阳极,其中,漂移层的上表面间隔开设有若干凹槽,凹槽内填充有金属层,金属层与漂移层之间形成肖特基接触；阳极与漂移层之间形成欧姆接触；衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的β-Ga-(2)O-(3)材料,且漂移层的掺杂浓度低于衬底层的掺杂浓度。本发明的低开启电压氧化镓功率二极管,通过开设凹槽,并在凹槽中填充金属Ni,使得金属Ni与Ga-(2)O-(3)漂移层形成肖特基接触,以控制器件的关断,通过阳极金属层与Ga-(2)O-(3)漂移层形成欧姆接触,以降低器件导通时的开启电压,可实现低开启电压的功率二极管。

• 单位
  西安电子科技大学