SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜

作者：范克彬; 沈伟东; 王立春; 熊斌

来源：材料科学与工程学报, 2007, (01): 48-51.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2007.01.012

• 氮化铝薄膜
• 正交设计
• 溅射参数
• 择优取向 AlN thin film
• orthogonal design
• sputtering control factors
• preferred orientation

利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AlN薄膜的(002)择优取向的影响水平。利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的AlN薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250℃,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大。具有择优取向的AlN薄膜的折射率约为2.06。

• 单位
  中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 传感技术国家重点实验室; 现代光学仪器国家重点实验室; 中国科学院研究生院; 浙江大学