锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响

作者：杨保平; 钟小华; 张晓亮; 崔锦峰; 贾均红; 易戈文

来源：功能材料, 2011, (11): 1993-1997.

• ATO纳米颗粒
• Sb掺杂量
• sol-gel法
• XPS
• 电阻率 ATO nanoparticles
• Sb content
• sol-gel method
• resistivity

以SnCl4.5H2O和SbCl3为主要原料,采用sol-gel法制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体。分别利用FESEM、XRD、FT-IR、XPS及四探针电阻仪对粉体形貌、晶体结构、元素组成和粉末电阻进行表征,考察Sb掺杂量对ATO粒子晶体结构、晶粒尺寸和导电性能的影响。结果表明所制备的ATO为(110)面择优取向的四方相锡石结构的纳米颗粒,当Sb掺杂量为15%(摩尔分数)时,ATO具有最小的粉末电阻率(12.85Ω.cm)。当Sb掺杂量≤28%时可得到完全掺杂的ATO,ATO的导电性与其中的Sb5+离子浓度有关,而且Sb含量在28%以下可能存在一个阈值,有利于固溶在SnO2晶格中的Sb...

• 单位
  中国科学院兰州化学物理研究所; 固体润滑国家重点实验室; 兰州理工大学