InGaAs/InP界面控制对InGaAs薄膜电学和光学性质的影响

作者：郑文龙; 张亚光; 顾溢; 李宝宝; 陈泽中^*; 陈平平^*

来源：红外与毫米波学报, 2019, 38(06): 751-757.

• InGaAs
• 界面控制
• 迁移率
• 光致发光

研究了全固态源分子束外延(MBE)生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进行细致研究.发现在InGaAs/InP界面之间插入一层利用As4生长的InGaAs过渡层,能够显著改善上层InGaAs(利用As2生长)外延薄膜的电学性能,其低温迁移率显著提高.同时荧光峰反常蓝移动消失,光学性质有所改善.研究表明利用As4生长InGaAs过渡层,可显著降低As在InP中反常扩散,获得陡峭的InGaAs/InP界面,从而提高InGaAs材料电学和光学性能.

• 单位
  上海理工大学; 红外物理国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所