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摘要
提出一种异质集成型薄膜铌酸锂电光调制器，由底部氮化硅波导、中间BCB黏合层、顶部铌酸锂薄膜构成调制区波导结构，调制电极位于铌酸锂薄膜的上部且二者之间填充了低折射率的SiO2，以利于实现折射率匹配并降低光损耗、微波损耗。进一步利用马赫-曾德尔干涉仪结构，设计了相应的电光调制器，并提出一种倒台阶型薄膜结构，该结构可实现输入、输出波导与调制区波导的高效耦合。对该电光调制器进行行波高速匹配设计，所得器件的半波电压长度积为1.77 V·cm,3 dB调制带宽为140 GHz，且调制区长度仅为5 mm。所提器件结构有望在大带宽薄膜铌酸锂电光调制器设计中发挥优势，助力薄膜铌酸锂光子集成器件的快速发展。
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