基于EMMI定位的GaN HEMT耐正向可靠性研究

作者：白霖^*; 林伟杰; 林罡; 邵国键; 任春江; 刘柱

来源：固体电子学研究与进展, 2023, 43(01): 83-88.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.01.008

• 氮化镓高电子迁移率晶体管
• 微光显微镜
• 高温栅偏压
• 外延位错
• 可靠性

GaN HEMT器件在高温栅偏压（HTGB）应力下会出现势垒退化现象，并进一步引发器件在射频工作下的不稳定和失效问题。使用微光显微镜（EMMI）作为主要工具，对器件的HTGB退化问题进行了研究。讨论了不同电偏置条件下器件EMMI发光的分布和形成机理，并对比了器件在HTGB试验前后EMMI发光图像的变化。HTGB后器件在反偏电场下出现明显新增EMMI亮点，对亮点的微区分析定位到栅下有外延位错对应的局部烧毁点。研究表明，延伸至栅下的外延位错会构成漏电通道，对HTGB下的退化和失效存在贡献。