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摘要
Bi2O2Se是一种新型半导体材料，具有载流子迁移率高、空气中稳定和自旋轨道耦合强等优点，并且其合成方法多种多样，应用范围十分广泛。但已有研究大多集中在其二维薄膜，本文介绍一种使用三温区管式炉通过化学气相沉积生长Bi2O2Se一维纳米线的方法。本文研究了云母衬底处于水平方向不同位置，以及竖直方向不同高度，对Bi2O2Se纳米线生长的影响，并归纳出适于其生长的优化条件。之后，基于生长的Bi2O2Se纳米线构建了超导量子干涉器件，并观测到随磁场的超导量子干涉，为拓宽Bi2O2Se纳米线的应用提供了思路。
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