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摘要
本发明公开了一种基于激基复合物的多量子阱结构改善OLED器件性能的方法,通过在fac-Ir(ppy)-3的相邻层交替插入CBP和B3PyMPM薄层,在CBP/B3PyMPM异质界面之间形成多量子阱结构,制备无掺杂超薄绿色磷光OLED器件。将每个CBP或B3PyMPM层的厚度设为2 nm是为了保证有效的激子隧穿。因此,载流子可以被有效的分布在每一个界面,增加量子阱结构的数量可以使激子的分布更加均匀,从而避免了激子大量聚集导致的激子猝灭。利用激基复合物和量子阱结构的协同作用来拓宽激子复合区域,提高了激子利用率,它能为提高绿磷光OLED器件的效率、减小效率滚降提供一条新思路。
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