DOE方法在ESD及LU测试故障定位方面的应用研究

作者：鹿祥宾^*; 陈燕宁; 张海峰; 原义栋; 钟明琛; 张志刚

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(03): 226-232.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.03.013

• 静电放电
• 闩锁效应
• I-V曲线测试
• 因果图
• 试验设计
• 失效分析

介绍了一种通过因果图及DOE(试验设计)对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建立可能造成失效的各个层级的影响因子;通过两个层次DOE设计,以最少的测试次数筛选出最关键的影响因子。最终发现I-V曲线测量时电压设定过大以及I-V曲线测量达到一定次数是触发本次失效问题产生的根本原因。该分析方法可以作为ESD及LU测试中失效分析的有力补充。

• 单位
  北京智芯微电子科技有限公司; 国家电网公司