HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响

作者：季峰; 徐静平; 张洪强; 黎沛涛; 李春霞; 官建国

来源：固体电子学研究与进展, 2008, (03): 330-333.

• 铪钛氧化物
• 高k栅介质
• 氮化
• 淀积后退火 HfTiO
• high-k gate dielectric
• natridation
• post-deposition annealing

采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH3和N2不同气体退火对MOS电特性的影响。结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/Si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质(HfTiON/HfTiSiON)物理厚度变化(ΔTox)和电容等效厚度变化(ΔCET)与介质(HfTiON)介电常数的关系,求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。

• 单位
  香港大学; 华中科技大学; 材料复合新技术国家重点实验室; 武汉理工大学