普通单晶EL黑斑研究

作者：李雪方; 贾宇龙; 焦朋府

来源：山西化工, 2018, 38(05): 87-88.

DOI：10.16525/j.cnki.cn14-1109/tq.2018.05.29

• 单晶
• 黑斑
• 疏水性
• 浓度

研究了普通单晶EL黑斑的主要形成原因,并针对此做了工艺调整。实验结果表明:制绒后硅片上的水滴在自然晾干条件下,扩散烧焦和EL黑斑明显,普通单晶的EL黑斑主要为制绒硅片疏水性差造成,调整制绒酸洗槽浓度、热水时间及烘干炉时间,EL黑斑比例下降了0.14%。