低温多段烧结、真空压力浸渗制备SiCp/Al电子封装材料

作者：胡盛青; 万绍平; 刘韵妍; 舒阳会; 谭春林; 张刚

来源：功能材料与器件学报, 2011, (06): 620-624.

• 低温多段烧结
• 真空压力浸渗
• SiCp/Al Low temperature with multi-step sintering
• Vacuum Pressure Infiltration
• SiCp/Al

选用W7与W63两种SiC粉末,采用高、低温粘结剂配合,模压成型,850℃空气气氛低温多段烧结,制备出体积分数为65.13%的SiC预制件,真空压力浸渗6063Al合金熔液,得到SiCp/Al复合材料。结果表明:复合材料XRD图谱中未出现明显的Al_4C_3界面相和SiO_2杂相;致密度高;100℃时的热膨胀系数为7.592×10~(-6)K~(-1);常温下热导率为172.68/W(m·K)~(-1);4mm×3mm×30mm规格样品的最大弯曲载荷为335.5N,弯曲位移为0.16mm左右;综合性能优良,是优异的电子封装材料。

• 单位
  湖南航天诚远精密机械有限公司