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摘要
该文针对压阻式传感器在环境温度变化时会引起灵敏度非线性问题，提出了一种在惠斯通电桥中引入多晶硅的温度补偿方案。以单晶硅制备的高g值压阻式加速度计为模型，通过建立理论模型，分析了单晶硅压敏电阻的电阻率和压阻系数的温度特性。对传感器进行有限元仿真分析，仿真结果表明一阶频率为0.776 MHz,最大等效应力为44 MHz。通过对压敏电阻路径的线性分析，得到补偿前的灵敏度为0.349μV/g。对多晶硅电阻引入前后的输出电压进行理论分析，得到电阻系数比以及补偿前后传感器灵敏度随温度的变化关系。结果表明，补偿后的灵敏度漂移温度系数(Temperature Coefficient of Sensitivity drift, TCS)为6.8×10-4(1/℃),与补偿前相比降低了两个数量级。
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