随着半导体工艺技术的不断进步、芯片工艺制程的不断演进,NAND Flash容量越来越大,集成度越来越高,连续读写性能问题通过多并发得到提升,已不再是非易失存储系统设计环节的主要瓶颈,取而代之,由于NAND Flash读写潜伏期的存在,随机性能提升成为是非易失存储系统设计中的关键核心问题。磁存储器件,作为国内自主研发的新型存储器重点方向之一,有着广泛的应用前景。引入磁存储芯片作为非易失存储器件的高速缓存,能够有效降低读写延时,提升非易失存储设备随机性能,大大提升产品竞争力和性能。
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