宽带高线性高隔离无源双平衡混频器

作者：张博^*; 黄晴^*; 吴昊谦

来源：电子元件与材料, 2022, 41(04): 423-428.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1755

• 砷化镓
• 双平衡结构
• 滤波补偿网络
• 双混频环
• 隔离度
• 线性度

基于InGap/GaAs HBT工艺设计了一款宽带无源双平衡混频器，针对双平衡混频器射频中频交叠及射频到中频端口隔离度差的问题，采用了双混频环+新型滤波补偿网络的结构，不仅提高了隔离度和线性度，同时扩宽了带宽，改善了混频器整体性能。射频、本振频率为1.5～5.0 GHz,射频功率为-10 dBm,本振功率为13 dBm,中频频率为DC～1.5 GHz。仿真结果表明，变频损耗(Conversion Loss)为7 dB,本振与射频信号隔离度(Iso＿LO/RF)为44 dB,本振与中频信号隔离度(Iso＿LO/IF)为45 dB,射频与中频信号隔离度(Iso＿RF/IF)为35 dB,IIP3为20 dBm,芯片面积为1.6 mm×1.6 mm。

• 单位
  西安邮电大学; 电子工程学院