双光谱法实现光刻工艺中的胶厚检测

作者：张春晖; 陈龙江; 梁宜勇; 杨国光

来源：光电工程, 2009, (05): 52-55.

• 光刻
• 双光谱法
• 胶厚检测 lithography
• two-spectrum method
• thickness of photoresist

提出了一种光刻胶厚度测量方法,即双光谱法。采用AZ4620正型光刻胶甩胶于平面玻璃基片,以椭偏仪测量的结果为基准。通过双光谱法的测量,检测经过基片的出射光相对入射光强度的变化,达到测量胶厚的目的,结果偏差在2%以内。与传统的膜厚检测方法相比,有计算方法简便,可操作性强等优点。针对光刻胶有曝光的特性,双光谱法更适合于胶厚检测。

• 单位
  现代光学仪器国家重点实验室