一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用

作者：李国强; 徐珍珠; 高芳亮; **光; 温雷; 余粤锋

来源：2018-09-29, 中国, ZL201811150347.9.

本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用,其中,贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外,Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处产生的肖特基势垒有利于促进光生电子空穴对的分离,从而提高器件的PEC光电转换效率。本发明制备Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构的方法,具有生长工艺简单、可重复性强的优点。最后,本发明公开的Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合材料,禁带宽度在0.67～3.4 eV范围可调,具有较大的比表面积,对太阳光有较强的吸收,适用于光电解水产氢。

• 单位
  华南理工大学