以低温低压低频等离子清洗活化原理为基础，采用控制单一变量法设计实验，研究了等离子体工艺中射频功率、O2、Ar以及Ar/H2等工艺气体参数对Si抛光片表面粗糙度的影响，为进一步改善表面粗糙度应尽量选定合适的射频功率、工艺气体种类与流量。
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