摘要
设计了一种低压输出电路,其输出波形的转化速率(Slew Rate, SR)对工艺、电压、温度(Process, Voltage, Temperature, PVT)和负载的变化不敏感。由于N型金属-氧化物-半导体(N-Metal-Oxide-Semiconductor, NMOS)具有高速和低导通电阻的优点,输出缓冲器被设计成双NMOS管串联结构。为了得到对PVT和负载不敏感的SR,在预驱动电路和输出缓冲器间引入了反馈电容。Hspice的仿真结果显示,当输入信号频率为5 MHz时,负载电容从20 p F变化到80 p F,输出的上升时间和下降时间仅仅变化了0.6 ns和1.3 ns,与传统电路相比性能提高了257.6%。不同的PVT下,输出的上升时间和下降时间变化了1.2 ns和2.8 ns,与传统电路相比性能提高了62.4%。