化学机械抛光液的研究进展

作者:孟凡宁; 张振宇*; 郜培丽; 孟祥东; 刘健
来源:表面技术, 2019, 48(07): 1-23.
DOI:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2019.07.001

摘要

化学机械抛光(CMP)技术是集成电路制造中获得全局平坦化的一种重要手段,化学机械抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一,而抛光液中的磨粒和氧化剂决定了抛光液的各项化学机械抛光性能。将抛光液磨粒分为单一磨粒、混合磨粒以及复合磨粒,综述了近年来国内外化学机械抛光液磨粒发展现状,其中重点分析和总结了SiO2、Al2O3、Ce O2三种单一磨粒,Si O2/Al2O3、Si O2/Si O2、SiO2/Ce O2混合磨粒,Ce O2@SiO2、PS@Ce O2、PS@SiO2、s Si O2@m SiO2、PMMA@CeO2、PS@mSiO2等核-壳结构复合磨粒,Co、Cu、Fe、Ce、La、Zn、Mg、Ti、Nd等离子掺杂复合磨粒的研究和应用现状,并针对目前存在的问题进行了详细的分析。针对目前化学机械抛光液不同材料氧化剂(高锰酸钾和过氧化氢)的选择和使用进行了分析总结。此外,介绍了一种新型绿色环保抛光液的研究和使用情况,同时对化学机械抛光液存在的共性问题进行了总结,最后展望了化学机械抛光液未来的研究方向。

全文