基于后通孔技术的三维半导体集成封装结构及工艺

作者：刘胜; 高众杰; 王诗兆; 东芳; 张云彭; 盛灿

来源：2022-07-12, 中国, CN202210818045.4.

本发明公开一种基于后通孔技术的三维半导体集成封装结构及工艺。该三维集成封装结构包括载板(晶圆)、第一芯粒、第二芯粒、塑封结构、第一局部互连层、第二局部互连层、第一再布线层、第二再布线层。将载板减薄并刻蚀出若干硅通孔；在通孔内沉积阻挡层、TSV填充；在载板正面刻蚀出凹槽,在凹槽内制作局部互连层并埋入芯粒；之后进行模塑料填充、塑料通孔刻蚀、TMV填充；再依次制作第一、第二再布线层；最后植球实现三维堆叠。该结构基于后通孔技术实现载板厚度及TSV高度可调,尺寸适应性好,另外该双面扇出结构可以有效减少互连距离,在电性能及信号传输方面具有很大的优势,同时便于三维堆叠,有效提高封装集成度。

• 单位
  武汉大学