预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响(英文)

作者：贾辉; 陈一仁; 孙晓娟; 黎大兵; 宋航; 蒋红; 缪国庆; 李志明

来源：发光学报, 2012, (01): 82-87.

• 金属有机物气相沉积
• AlN
• 预通三甲基铝(TMAl)
• 应力 metalorganic chemical vapor deposition
• TMAl preflow
• stress

采用有机金属化学气相沉积设备用两步生长法在(0001)蓝宝石衬底上制备AlN薄膜。研究了预通三甲基铝(TMAl)使衬底铝化对外延AlN的影响。利用高分辨X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析了样品的结晶质量以及外延膜中的残余应力。通过SEM观察发现,短时间的预通TMAl处理对AlN薄膜表面的影响不大;但随着预通时间的增加,表面会出现六角形的岛。通过优化TMAl的预通时间可以保护衬底被氮化有利于Al极性面AlN的生长,从而得到的Al极性面AlN表面比较平整;但是预通TMAl时间过长会使衬底表面沉积金属态铝而不容易形成平整的表面。X射线双晶摇摆曲线结果表明:样品的(0002)和(1...

• 单位
  中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 发光学及应用国家重点实验室; 中国科学院研究生院