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摘要
本发明公开一种栅控双极-场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管。该器件通过采用基区与栅极相连的电极连接方式,代替传统的氮化镓VDMOS中基区与源极短接的电极连接方式。该器件工作在关态时,器件的耐压特性与传统的氮化镓VDMOS的一致。该器件工作在开态时,由于栅极与基区相连,当在栅极接入栅压时,基区也接入一定电压,使得器件寄生的双极型晶体管开启,提供了一个新的导电通道；与此同时,器件的沟道同样能正常开启进行导电。该器件与传统的氮化镓VDMOS器件相比,在保证器件具有相同击穿电压的同时,大幅度提高了器件的导通电流,极大改善了氮化镓晶体管的导通性能。
- 单位
