低电压基准电压源

作者：毛静文; 陈廷乾; 陈诚; 任俊彦; 杨励

来源：复旦学报(自然科学版), 2006, (1): 87-91.

DOI：10.3969/j.issn.0427-7104.2006.01.019

• 模拟集成电路
• 带隙基准源
• 电源抑制比
• 低电压

设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺.实现了一阶温度补偿,具有良好的电源抑制比.测试结果表明,在1.5 V电源电压下,电源抑制比为47 dB,在0～80℃的温度范围内,输出电压变化率为0.269%,功耗为0.22 mW,芯片核面积为0.057 mm2.

• 单位
  专用集成电路与系统国家重点实验室; 复旦大学