一种应用于2.2GHz的射频功率放大器设计

作者：赵弘毅; 张丹^*; 封维忠; 王鑫钰

来源：计算技术与自动化, 2021, 40(03): 57-61.

DOI：10.16339/j.cnki.jsjsyzdh.202103010

• 功率放大器
• GaN高电子迁移率晶体管
• 高效率
• 寄生参数仿真
• 阶跃式匹配

采用Cree公司提供的CGH40010F GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为有源器件,设计了一款工作在2.2 GHz的射频功率放大器。利用ADS软件对功率管的偏置电路进行设计的仿真,利用阶跃式匹配方法扩展了带宽,通过对功率管寄生参数的仿真,有效地提高了功率附加效率(PAE)。仿真结果表明,在2.1 GHz～2.3 GHz的频率范围内,小信号S21增益为12.03 dB～12.77 dB,大信号输出功率为40.17 dBm,功率附加效率达到61.3%。达到设计指标的要求。

• 单位
  南京林业大学