摘要
通过系统地研究功率、气压、温度以及时间这四个磁控溅射参数对掺铝氧化锌(AZO)的薄膜电阻和光学透射率的影响,发现了两个截然不同的现象即薄膜电阻对上述四个溅射参数极为敏感,然而光学透射率却基本不变。基于此发现,制作出了高品质的AZO薄膜(薄膜电阻<4.54Ω/sq,透过率>84%),和以其为窗口层的效率为5.1%的纯CZTS电池(吸收层无Se元素,溅射法生长CdS层)~([1])。进一步地,将上述经验应用于ITO薄膜同时采用CBD-CdS工艺,制作出了全面积的效率为7.7%,有效面积的效率为8.2%的纯CZTS电池(CBD法生长CdS层,无阻挡层和减反层)。
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