AlGaN/GaN异质结紫外探测器

作者：陈俊; 许金通; 李雪; 陈亮; 赵德刚; 李向阳

来源：红外与激光工程, 2007, (06): 917-919.

• p-i-n
• GaN
• 光谱响应 p-i-n
• Responsivity spectrum

采用p-AlxGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱。对于Al组分为0.1的器件,在零偏压处出现了极低的暗电流密度,表明器件具有非常高的信噪比。高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明,高铝组分(0.1)窗口层薄膜材料的晶体质量较差,导致暗电流增大,而其窗口层的窗口选择作用则可以得到较高的响应率和较宽的响应波段。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室