复合表面活性剂在铜CMP中减少缺陷的作用

作者：王聪; 刘玉岭^*; 王辰伟^*; 张辉辉; 曾能源; 罗翀

来源：半导体技术, 2020, 45(05): 396-403.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.011

• 复合表面活性剂
• 划伤缺陷
• 粗糙度
• 大颗粒数量
• 润湿性
• 化学机械抛光(CMP)

极大规模集成电路(GLSI)制造中化学机械抛光(CMP)过程中会产生很多缺陷,其会对产量和可靠性产生不利影响。研究了复合表面活性剂对划伤缺陷数量减少的作用。使用大颗粒测试仪表征抛光液中颗粒尺寸的变化,使用接触角测试仪表征抛光液的变化,通过原子力显微镜(AFM)和光学显微镜表征抛光后的铜片表面的划伤缺陷。实验结果表明,通过复配两种不同的表面活性剂,可以降低磨料大颗粒数量从25万级到15万级,实现划伤缺陷数量从4 084降低至51,表面粗糙度从4.66 nm降至0.447 nm。基于实验结果,研究并提出了复合表面活性剂影响大颗粒数量和表面润湿性,从而减少划伤缺陷的机理。对于提高工业生产晶圆的良品率具有一定参考。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院