ZrO_2掺杂对Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷介电性能的影响

作者：陈黎; 吴孟强; 龙明珠; 肖勇; 姜锐; 黄明冀; 张树人

来源：压电与声光, 2012, (01): 136-139.

• ZrO2掺杂
• 微波介质陶瓷
• 烧结温度
• Ba(Zn1/3Ta2/3)O3 ZrO2 doping
• microwave dielectric ceramics
• sintering temperature
• Ba(Zn1/3Ta2/3)O3

采用固相反应烧结法制备了ZrO2掺杂的Ba(Zn1/3Ta2/3)O3微波介质陶瓷,研究了陶瓷的烧结特性和介电性能。结果表明,ZrO2掺杂能有效降低Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷的烧结温度,改善陶瓷的微波介电性能。当x(ZrO2)=4%时,Ba(Zn1/3Ta2/3)O3陶瓷致密化烧结温度由纯相时的1 600℃降至1 300℃,同时陶瓷材料的微波介电性能达到最佳值,即介电常数εr=34.79,品质因数与频率的乘积Q×f=148 000(8GHz),谐振频率温度系数τf=0.3×10-6/℃。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室