一种用于GSM/WCDMA/LTE的宽带功率放大器

作者：潘茂林; 刘蕾蕾^*

来源：南京邮电大学学报(自然科学版), 2020, 40(02): 62-65.

DOI：10.14132/j.cnki.1673-5439.2020.02.010

• 功率放大器
• 偏置电路
• 射频前端

基于GaAs HBT工艺设计了一款高线性、全集成的宽带功率放大器(PA)。芯片采用倒扣的装配方式。该功率放大器包括驱动级和功率级,工作频率为1.71～2.05 GHz。通过多级匹配增大带宽,实现了对GSM/WCDMA/LTE中多个上行频段的覆盖。测试结果表明,在整个工作频带内功率增益约为30 dB。工作电压为3.5 V,输出功率为28 dBm,采用10 MHz 50RB QPSK LTE信号测试时,功率附加效率(PAE)约为37%,邻信道泄漏比(ACLR)约为-38 dBc。芯片尺寸为0.755 mm×0.8 mm。

• 单位
  南京邮电大学