Gd3(Al, Ga)5O12:Ce晶体生长与闪烁性能研究

作者：王海丽; 李辉; 周南浩; 石爽爽; 苏健; 张微; 陈建荣; 黄存新

来源：人工晶体学报, 2023, 52(12): 2156-2160.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2023.12.002

• GAGG∶Ce
• 闪烁晶体
• 高温固相反应法
• 提拉法
• 闪烁性能

掺铈钆铝镓石榴石(Gd3(Al, Ga)5O12∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体，具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点，在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景。本文报道了GAGG∶Ce晶体的提拉法生长与闪烁性能表征。利用高温固相反应法合成GAGG∶Ce原料，采用XRD对合成的原料进行了物相分析，结果表明，在1 500℃下煅烧12 h合成的多晶料为纯GAGG相。利用提拉法生长出尺寸?50 mm×90 mm的GAGG∶Ce晶体，测试了其透过光谱、X射线激发发射光谱和脉冲高度谱，结果表明，7 mm厚样品550 nm的透过率为81.5%,晶体X射线激发发射峰中心波长位于550 nm,晶体的光输出为59 000 photons/MeV,能量分辨率为6.2%@662 keV,晶体衰减时间快分量为149 ns,慢分量为748 ns。

• 单位
  中材人工晶体研究院有限公司; 北京中材人工晶体研究院有限公司