低温热处理对电子辐照直拉硅中V-O缺陷的影响

作者：蔡莉莉; 陈贵锋; 张辉; 郝秋艳; 薛晶晶

来源：硅酸盐学报, 2011, (05): 859-862.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2011.05.026

• 单晶硅
• 电子辐照
• 空位–双氧复合体
• 辐照缺陷 single crystal silicon
• electron-irradiation
• vacancy–dioxygen complex
• irradiation defect

采用能量为1.5 MeV、辐照温度为100℃、辐照剂量为1.8×1018 e/cm2电子辐照直拉单晶硅;然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低温(200～600℃)热处理。通过辐照样品的Fourier变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位–氧相关缺陷的转化情况。结果表明:未经热处理的电子辐照的硅样品中出现了空位–双氧复合体(VO2)缺陷的889 cm–1吸收峰,这是由于辐照温度较高所致。经低温热处理后,在氧含量较低的辐照样品中的VO和VO2缺陷会相互转化,而氧含量较高的样品中VO、VO2吸收峰强度几乎不变。VO2和空位–三氧复合体(VO3)缺陷在450℃热处理30 min后呈现出一定的稳定性...

• 单位
  材料学院; 华北科技学院; 硅材料国家重点实验室; 浙江大学; 河北工业大学