新一代集成电路工艺要求晶圆越来越薄，其后处理加工的难度增大．通过各单元模块化的结构设计，有效地将晶圆的“清洗—干燥—检测”3种后处理技术集成起来，整体工艺处理流程时间平均缩短了47.5%．通过改进异丙醇雾化法，有效地提高晶圆干燥的效率，相较于传统的干燥方式，每片晶圆有效面积内残留水痕面积减少38.4%，检测正确率达到99.12%，实验结果验证该装置集成方式对于晶圆后处理工艺优化的优越性．
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