基于SiGe BiCMOS工艺的X波段四通道幅相控制芯片设计

作者：李庄; 陶小辉; 荣大伟; 曹锐

来源：电子技术, 2018, 47(09): 69-62.

• X波段
• 四通道
• 幅相控制芯片

本设计基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款X波段四通道幅相控制芯片。芯片由四个幅相控制通道及两级功率分配器组成。详细分析了芯片中各单元电路设计及可能存在的问题。测试结果表明,在9.5-10 GHz的设计频段内,噪声系数小于3.0 dB,输出1dB功率压缩点大于11.5 dBm。

• 单位
  中国电子科技集团第三十八研究所