RFID中非易失存储单元及灵敏放大电路的设计

作者：贾晓云; 冯鹏; 张胜广; 吴南健; 刘肃

来源：半导体技术, 2013, (06): 413-418.

• CMOS标准工艺
• 非易失性
• 存储单元
• 灵敏放大电路
• 射频识别(RFID) standard CMOS process
• non-volatile
• memory cell
• sense amplifier circuit
• radio frequency identification(RFID)

针对无源超高频射频识别标签芯片的应用需求设计了一种非易失性存储单元及其灵敏放大电路。该存储单元包括了两个浮栅节点并利用隧道效应(FN)隧穿机制来实现电子向浮栅的注入和擦除,因此其具有较低的编程功耗和较高的数据存储可靠性。为了减小存储单元的面积并进一步降低编程功耗,还采用了厚度仅为4 nm的栅氧作为隧穿结。此外,还设计了一种适合于该存储单元的灵敏放大电路,不仅可以读取存储数据,还可配合存储单元进行数据的擦写操作,从而简化存储单元的设计。基于0.18μm单多晶硅标准CMOS工艺实现了该存储单元及其灵敏放大电路,其单元面积仅为108μm2,经测试表明该存储单元可配合灵敏放大电路实现数据的正确读写,编...

• 单位
  半导体超晶格国家重点实验室; 兰州大学; 中国科学院半导体研究所