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摘要
本发明公开了一种基于碳纳米管的三位TSV及其参数提取方法,所述三维TSV包括设置在衬底中的TSV结构以及设置在所述TSV结构顶部的三个信号垫,其中,所述TSV结构包括开设在所述衬底中的通孔以及均匀填充在所述通孔内部的多束碳纳米管；所述三个信号垫以相互间隔的方式铺设在所述TSV结构顶部的不同位置处,且分别与其下方的多壁碳纳米管连通,以在一个TSV结构上形成三个信号传输通道。该三位TSV通过三个信号垫使得一个TSV结构可以同时传输三个独立信号,使与通过该三位TSV连接的上下两层芯片之间的I/O管脚数量加倍,提高了芯片集成度,降低工艺成本,且具有更好的传输特性。
- 单位
